宏湃半导体申请半导体外延结构专利，大幅提升击穿电压与长期可靠性
创始人
2026-08-31 14:48:56
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国家知识产权局信息显示，杭州宏湃半导体有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构和半导体器件”的专利，公开号CN122662237A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体外延结构和半导体器件，半导体外延结构，包括衬底、沟道层和势垒层；沟道层的材料包括GaN；势垒层的材料包括AlGaN；沿衬底指向沟道层的方向，势垒层包括依次层叠设置的第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层，第一势垒层的厚度和第三势垒层的厚度均小于第二势垒层的厚度，第一势垒层中Al的组分单调递减，第三势垒层中Al的组分单调递增，第二势垒层中Al的组分变化率小于第一势垒层中Al的组分变化率，且小于第三势垒层中Al的组分变化率。本发明实施例的技术方案可以打破现有的不可能三角技术瓶颈，兼顾高2DEG浓度和高电子迁移率，同时实现应力补偿，减少晶格缺陷，大幅提升击穿电压与长期可靠性。
天眼查资料显示，杭州宏湃半导体有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本123.8334万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州宏湃半导体有限公司专利信息9条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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