华虹宏力申请超级结器件及降低超级结导通电阻的方法专利，有效降低沟道电阻和总导通电阻
创始人
2026-07-15 05:35:14
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“超级结器件及降低超级结导通电阻的方法”的专利，公开号CN122396012A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种超级结器件及降低超级结导通电阻的方法。超级结器件包括第一导电类型外延层、第二导电类型柱、体区、栅极结构、源极区和接触结构。栅极结构包括多个分离的栅极段，源极区围绕栅极段设置，以使栅极段边缘均形成导电沟道。本发明将栅极结构设计为分离结构，使得栅极段每边都是沟道的横断面，增加了沟道总宽度，有效降低了沟道电阻和总导通电阻；同时接触结构可部分或完全包围栅极段，保证了器件具有更好的单脉冲雪崩击穿能量能力。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7867条，此外企业还拥有行政许可461个。
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来源：市场资讯
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