长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，可以提高半导体结构的可靠性_半导体

长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，可以提高半导体结构的可靠性

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2026-03-27 19:06:53

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121751628A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底，设置在衬底上的第一绝缘介质层；设置在第一绝缘介质层中的前层结构；设置在第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层；设置在第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层；设置在第三绝缘介质层中的当层结构，包括多条彼此间隔排布的第一导电线；第一互连结构穿过第二绝缘介质层连接部分第一导电线与前层结构；第二互连结构穿过第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层连接部分第一导电线，第一互连结构以及第二互连结构彼此隔离，可以提高半导体结构的可靠性。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可38个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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