天沐半导体申请一种半导体电镀的退火腔结构专利，晶圆表面退火效果的均匀性好_半导体

天沐半导体申请一种半导体电镀的退火腔结构专利，晶圆表面退火效果的均匀性好

创始人

2026-03-26 16:28:04

0次

国家知识产权局信息显示，天沐半导体科技（江苏）有限公司申请一项名为“一种半导体电镀的退火腔结构”的专利，公开号CN121718970A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体电镀的退火腔结构，包括若干个上下设置的退火腔，每个退火腔的一侧开有出风口；均流通道设置在出风口的一侧，均流通道包括主体结构、排气接口和晶圆进出通道；主体结构的内部具有腔体；排气接口与腔体的一端相通；晶圆进出通道设置在主体结构的中部并与出风口相通，晶圆进出通道内对应的腔体的上方和下方设有与腔体相通的均流孔；每个排气接口与分支管道相通；若干个分支管道并联设置在排气管道上。本发明从退火腔排出的气体从均流孔流入腔体，气体再汇流至排气接口后从排气管道排出，腔室内的气体流出的流量均匀，晶圆表面退火效果的均匀性好；分支管道内均设有调节阀使得上下层腔室的退火效果一致。

天眼查资料显示，天沐半导体科技（江苏）有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1527.777438万人民币。通过天眼查大数据分析，天沐半导体科技（江苏）有限公司专利信息3条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示接口投资半导体电镀表面排气结构专利腔体火腔晶圆管道

上一篇：真芯半导体取得半导体结构及其制备方法专利

下一篇：北方华创取得半导体结构刻蚀方法专利

天沐半导体申请一种半导体电镀的退火腔结构专利，晶圆表面退火效果的均匀性好

相关内容

热门资讯