新微半导体申请增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法专利，降低漏电提升栅极可靠性_半导体

新微半导体申请增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法专利，降低漏电提升栅极可靠性

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2026-03-22 03:21:02

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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121712055A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过在P型栅极结构中设置掺杂浓度更大的P型δ掺杂层，从而在P型栅极能带结构中形成电子势垒，在器件工作过程中，电子势垒会阻碍电子在栅极结构中流动，从而降低漏电，同时避免电子对栅极金属的轰击，提升栅极可靠性；同时，δ掺杂层会在P型栅极能带结构中形成一个个的空穴势阱，不会对空穴的自由流动产生较大影响，从而使得空穴自由注入到器件当中，保证器件较低的工作导通电阻；插入的P型δ掺杂层在一定程度上可以降低P型栅极结构整体的电阻率，降低输入电阻，并且有助于提升整体P型栅极结构的晶体质量；而且P型δ掺杂过程可与现有传统外延工艺设备兼容，工艺简单，易于实现。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目841次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可83个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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