中芯国际申请半导体测试结构及监测系统专利，能够有效地监测导电材料残留_半导体

中芯国际申请半导体测试结构及监测系统专利，能够有效地监测导电材料残留

创始人

2026-03-07 16:00:03

0次

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体测试结构、半导体结构的监测系统及方法”的专利，公开号CN121620163A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体测试结构、半导体结构的监测系统及方法，其中，半导体测试结构包括：基底；测试单元，位于基底上；测试单元包括导电互连层；导电互连层包括：第一梳状连接结构，第一梳状连接结构包括第一梳柄部以及与第一梳柄部相连的多个第一梳齿部，第一梳齿部上形成有拐角结构；以及，第二梳状连接结构，与第一梳状连接结构相对设置，第二梳状连接结构包括第二梳柄部以及与第二梳柄部相连的多个第二梳齿部，多个第二梳齿部与多个第一梳齿部交替排布。采用上述技术方案，能够有效地监测导电材料残留。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造导电投资监测中芯国际导体集成电路结构专利梳齿部梳柄部中芯梳状

上一篇：广州增芯科技申请一种气流开关器件及气流检测方法专利，大大降低气流开关器件的运行功耗

下一篇：澳柯玛云联申请半导体结构及其制造方法专利，提高了所形成的SOI衬底的质量和可靠性

中芯国际申请半导体测试结构及监测系统专利，能够有效地监测导电材料残留

相关内容

热门资讯