华为申请芯片及其制作方法专利，能够阻断衬底背面引入的金属污染_半导体

华为申请芯片及其制作方法专利，能够阻断衬底背面引入的金属污染

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2026-01-15 08:38:20

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备”的专利，公开号CN121335524A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，能够阻断衬底背面引入的金属污染。该芯片包括衬底结构、有源器件、硅通孔。其中，衬底结构包括：第一衬底、第二衬底、介质层。介质层位于第一衬底和第二衬底之间，且介质层能够阻挡金属扩散。有源器件设置在第一衬底远离介质层的一侧，第二衬底在靠近介质层的一侧具有吸杂层；硅通孔贯穿第一衬底、介质层、吸杂层并延伸至第二衬底中。通过介质层可以阻止第二衬底的背面引入金属扩散至有源器件区域，从而降低了有源器件发生电性异常或失效的几率。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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