杭州镓仁半导体申请氧化镓外延工艺优化专利，大大缩短外延工艺优化流程_半导体

杭州镓仁半导体申请氧化镓外延工艺优化专利，大大缩短外延工艺优化流程

创始人

2026-01-13 09:09:13

0次

国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种基于远端采样主动学习神经网络系统的氧化镓外延工艺优化方法、设备及介质”的专利，公开号CN121302900A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于远端采样主动学习神经网络系统的氧化镓外延工艺优化方法、设备及介质，涉及氧化镓外延生长技术领域。所述方法包括如下步骤：通过传感器获取氧化镓外延前、外延中和外延后的原始工艺数据；采用远端采样算法对原始工艺数据进行降维与筛选，并构建训练数据；构建参数优化用的神经网络模型，使用构建的训练数据对神经网络模型进行训练；对训练后的神经网络模型进行参数优化并使用优化的神经网络模型对氧化镓外延参数进行预测，直到预测目标收敛，外延结果符合要求。所述方法能够在复杂的参数条件中找到规律，并指导建立最优化的外延生长工艺，大大缩短外延工艺优化流程。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法数据氧化采样参数半导体外延杭州工艺专利氧化镓神经

上一篇：稳先微电子申请用于芯片焊盘的重新布线结构专利，提高半导体芯片的使用安全性

下一篇：东方电热：已就电子皮肤代工业务与上海织识达成合作

杭州镓仁半导体申请氧化镓外延工艺优化专利，大大缩短外延工艺优化流程

相关内容

热门资讯