芯朋微电子申请半导体器件及芯片专利，有效降低静态功耗_半导体

芯朋微电子申请半导体器件及芯片专利，有效降低静态功耗

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2026-01-06 22:37:01

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国家知识产权局信息显示，无锡芯朋微电子股份有限公司申请一项名为“半导体器件及芯片”的专利，公开号CN121285034A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及芯片，涉及集成电路技术领域。该半导体器件包括集成在同一衬底上的采样管、主功率管、第一启动管以及第二启动管；其中，采样管的漏极、主功率管的漏极、第一启动管的漏极、第二启动管的漏极连接；采样管的栅极和主功率管的栅极连接，第一启动管的源极和第二启动管的栅极连接，第一启动管的栅极和主功率管的源极连接；第一启动管为常开型器件，且第一启动管的栅极电压从第一电压值切换为第二电压值时，第一启动管的电阻值从第一电阻值切换为第二电阻值，可以提高半导体器件的集成度，且通过设置第一启动管的电阻可调，使其能够动态匹配高压启动模块的电压和电流需求，提升系统稳定性，有效降低静态功耗。

天眼查资料显示，无锡芯朋微电子股份有限公司，成立于2005年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13131.0346万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯朋微电子股份有限公司共对外投资了14家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息48条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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