微玖光电申请垂直去衬底p-DBR红光LED芯片专利，使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上_半导体

微玖光电申请垂直去衬底p-DBR红光LED芯片专利，使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上

创始人

2026-01-05 10:08:59

0次

国家知识产权局信息显示，微玖（苏州）光电科技有限公司申请一项名为“一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法”的专利，公开号CN121262987A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种垂直去衬底p‑DBR红光LED芯片及制备方法，针对现有AlGaInP红光LED芯片GaAs衬底吸光、DBR绝缘致反射率与电流分布恶化、电极遮光及散热低效的缺陷采用垂直结构，通过MOCVD外延生长含p型DBR反射层的多层外延结构，经键合Si基CMOS驱动电路、湿法去除GaAs衬底、台面制备、钝化隔离及电极制备而成；芯片去除衬底吸光损耗，p‑DBR反射率＞95%且兼具高导电性，垂直结构消除电极遮光，Si基基板优化散热；本发明使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上，电流密度偏差＜5%，热阻降至＜6K/W，结构与Si基驱动兼容，工艺可行，适用于显示、照明等领域。

天眼查资料显示，微玖（苏州）光电科技有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本430万人民币。通过天眼查大数据分析，微玖（苏州）光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息33条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示电极投资传统红光芯片 GaAs 结构专利苏州 Si基衬底吸光

上一篇：格兰仕取得炉门开关装置及微波炉专利，保障装置能够机械解锁

下一篇：利扬芯片[688135]可转债转股结果暨股份变动公告

微玖光电申请垂直去衬底p-DBR红光LED芯片专利，使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上

相关内容

热门资讯