微玖光电申请垂直去衬底p-DBR红光LED芯片专利,使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上
创始人
2026-01-05 10:08:59
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国家知识产权局信息显示,微玖(苏州)光电科技有限公司申请一项名为“一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法”的专利,公开号CN121262987A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本申请公开了一种垂直去衬底p‑DBR红光LED芯片及制备方法,针对现有AlGaInP红光LED芯片GaAs衬底吸光、DBR绝缘致反射率与电流分布恶化、电极遮光及散热低效的缺陷采用垂直结构,通过MOCVD外延生长含p型DBR反射层的多层外延结构,经键合Si基CMOS驱动电路、湿法去除GaAs衬底、台面制备、钝化隔离及电极制备而成;芯片去除衬底吸光损耗,p‑DBR反射率>95%且兼具高导电性,垂直结构消除电极遮光,Si基基板优化散热;本发明使光提取效率较传统正装芯片提升65%以上,电流密度偏差<5%,热阻降至<6K/W,结构与Si基驱动兼容,工艺可行,适用于显示、照明等领域。

天眼查资料显示,微玖(苏州)光电科技有限公司,成立于2023年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本430万人民币。通过天眼查大数据分析,微玖(苏州)光电科技有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1次,专利信息33条。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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