远山新材料申请氮化镓外延结构形成方法及半导体器件专利，能够提升栅极击穿电压
创始人
2026-05-16 18:16:53
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国家知识产权局信息显示，远山新材料科技有限公司申请一项名为“氮化镓外延结构形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN122054629A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请涉及一种氮化镓外延结构形成方法及半导体器件，方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、本征GaN层、AlGaN层；在AlGaN层上生长P型掺杂的GaN外延层，控制其掺杂浓度和厚度，对P型GaN层进行N型离子注入，注入深度控制在20nm‑30nm范围内，然后进行退火。另一方式中，在生长P型GaN层前对AlGaN层进行P型离子注入以形成非对称P型掺杂区，然后进行退火，均通过控制注入剂量使退火后注入区域仍为P型。半导体器件中，接触层由上述P型GaN层图案化获得，势垒层对应接触层位置具有最高掺杂浓度或最大掺杂面积的P型掺杂区。能够提升栅极击穿电压，稳定阈值电压，维持低导通电阻，并实现CMOS工艺兼容。
天眼查资料显示，远山新材料科技有限公司，成立于2017年，位于济宁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本22220万人民币。通过天眼查大数据分析，远山新材料科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可1个。
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