天岳半导体申请低电阻率且应力低的4H-SiC单晶晶体及单晶晶片专利，提高了器件的导通能力
创始人
2026-01-02 17:07:13
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国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种低电阻率且应力低的4H-SiC单晶晶体及单晶晶片”的专利，公开号CN121250554A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种低电阻率且应力低的4H‑SiC单晶晶体及单晶晶片，属于SiC单晶材料制备技术领域。所述4H‑SiC单晶晶片在任意位置处的电阻率均大于6mΩ·cm且小于12mΩ·cm，所述4H‑SiC单晶晶片的电阻率变异系数≤3%，所述4H‑SiC单晶晶片面内应力平均值≤6MPa。该4H‑SiC单晶晶体及单晶晶片实现了电阻率和应力的双重降低，使得SiC的物理性能更稳定，提高了器件的导通能力，延长了器件的使用寿命。
天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可55个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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