华虹半导体申请电容结构制造方法专利，获得稳定性与精度更高的电容结构
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2026-01-01 13:36:28
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“电容结构的制造方法”的专利，公开号CN121240469A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种电容结构的制造方法。该方法包括：在衬底上依次形成第一导电层、电容介质层和第二导电层；通过增加一次专用的光刻工艺，在执行闪存器件制造流程中的后续处理工艺之前，在第二导电层上形成保护掩模。该保护掩模在后续处理工艺中遮蔽并保护电容结构，使其顶表面免受影响，从而保持其平整度。本发明仅需增加一张光刻掩模，即可有效避开化学机械平坦化等工艺对电容结构平整度的破坏，从而获得稳定性与精度更高的电容结构。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1961条，此外企业还拥有行政许可117个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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