元器件
苏州奥克思光电科技取得一种分选点料设备专利
国家知识产权局信息显示，苏州奥克思光电科技有限公司取得一项名为“一种分选点料设备”的专利，授权公告号CN116493285B，申请日期为2023年5月。 天眼查...
一图在手，畅游民治！民治街道电子地图正式上线
深圳新闻网2025年12月5日讯（记者 林玲）今天，深圳市龙华区民治街道电子地图正式上线，为辖区居民、企业及游客带来全新的数字化导览体验。这款集实用性与便民性于...
拟进一步使用的青岛市委副秘书长冷家英，新职明确
日前，青岛市档案馆官网更新显示：冷家英馆长主持全面工作，分管办公室、人事处和档案学会工作，负责党的建设、党风廉政建设和意识形态工作。 2025年11月3日，中...
海尔取得电热水器检测方法、检测电路及电热水器专利
国家知识产权局信息显示，青岛经济技术开发区海尔热水器有限公司、海尔智家股份有限公司取得一项名为“一种电热水器检测方法、检测电路及电热水器”的专利，授权公告号CN...
中亿丰光电取得调节白天节律的光谱封装结构专利
国家知识产权局信息显示，苏州中亿丰光电有限公司取得一项名为“一种调节白天节律的光谱封装结构”的专利，授权公告号CN115854272B，申请日期为2022年8月...
华影光学光电取得主动制冷式内循环散热LCD投影仪及散热方法专利
国家知识产权局信息显示，深圳市华影光学光电有限公司取得一项名为“一种主动制冷式内循环散热LCD投影仪及散热方法”的专利，授权公告号CN116594247B，申请...
唐锋能源申请离子树脂电阻率的在线测量方法专利，实现简便准确评价离子树脂分散体导电性能
国家知识产权局信息显示，浙江唐锋能源科技有限公司申请一项名为“离子树脂电阻率的在线测量方法”的专利，公开号CN121069019A，申请日期为2025年8月。 ...
横店东磁：公司芯片电感已进入部分头部企业 出货实现了高速增长
每经AI快讯，12月5日，横店东磁(002056.SZ)发布投资者关系活动记录表，公司有约30万吨磁性材料产能，涵盖了多系列材料体系，其中永磁和软磁出货超20万...
韩版Galaxy S26独享，三星Exynos 2600芯片被曝难以走向全球
12 月 5 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（12 月 4 日）发布博文，报道称三星已发布首款 2nm GAA 芯片 Exynos 2600，但搭载该...
联泰科技取得打印机电流值校正方法及相关装置、设备和存储介质专利
国家知识产权局信息显示，上海联泰科技股份有限公司取得一项名为“打印机电流值的校正方法、装置、计算机设备和存储介质”的专利，授权公告号CN116118194B，申...
四川宝光电器申请一种母线接地开关专利，不会增加柜体数量节约成本
国家知识产权局信息显示，四川宝光电器设备有限公司申请一项名为“一种母线接地开关”的专利，公开号CN121075840A，申请日期为2025年11月。 专利摘要显...
TVS电机申请电池组专利，可高效安装印刷电路板和电池管理模块
国家知识产权局信息显示，TVS电机股份有限公司申请一项名为“电池组”的专利，公开号CN121079826A，申请日期为2024年2月。 专利摘要显示，本发明涉及...
应用材料申请三维DRAM储存节点接触接合面形成专利，形成接触半导体层侧端掺杂硅层的电容器
国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于三维动态随机存取存储器(DRAM)的储存节点接触(SNC)接合面形成”的专利，公开号CN121080133...
科华数据中标：惠州核电科华电源设备厂家技术支持服务项目直接采购成交结果公示
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，根据中广核惠州核电有限公司12月4日发布的《惠州核电科华电源设备厂家技术支持服务项目直接采购成交结果公示》内容...
邦纳取得光学传感器的场可选择的动态增益控制模式专利
国家知识产权局信息显示，邦纳工程公司取得一项名为“光学传感器的场可选择的动态增益控制模式”的专利，授权公告号CN117980775B，申请日期为2022年9月。...
长鑫存储取得半导体结构及其制备方法专利
国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN116017976B，申请日期为2023年2月。 天眼查...
常州金土木工程仪器公司取得一种土木实验用桥式传感器专利
国家知识产权局信息显示，常州金土木工程仪器有限公司取得一项名为“一种土木实验用桥式传感器”的专利，授权公告号CN120927453B，申请日期为2025年10月...
绍兴千欣电子取得一种双工位电流芯片分选机专利，测试分选效率高
国家知识产权局信息显示，绍兴千欣电子技术有限公司取得一项名为“一种双工位电流芯片分选机”的专利，授权公告号CN 223616260 U，申请日期为2024年11...
无锡商甲半导体申请具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法专利，降低导通电阻且击穿电压不下降
国家知识产权局信息显示，无锡商甲半导体有限公司申请一项名为“具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121078772A，申请日期为2...
哈廷电子取得用于开关柜的线缆引入装置和结构及操作方法专利
国家知识产权局信息显示，哈廷电子基金会两合公司取得一项名为“用于开关柜的线缆引入装置和结构及用于操作其的方法”的专利，授权公告号CN115088397B，申请日...