碳化硅MOSFET vs 硅基MOSFET:全维度对比解析 一、核心材料特性差异 碳化硅(SiC)MOSFET与传统硅(Si)MOSFET的根本区别源于半导体...
电位滴定仪主要用于测定样品中可通过化学反应引起电位变化的物质。它广泛应用于各种分析领域,能检测以下类型的样品: 酸碱滴定:测定酸或碱的浓度,如测定硫酸、盐酸、氢...
国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司、北京京东方技术开发有限公司申请一项名为“一种像素驱动电路及显示装置”的专利,公开号CN121053893A,...
国家知识产权局信息显示,重庆和诚电器有限公司取得一项名为“一种整流稳压器结构”的专利,授权公告号CN223613655U,申请日期为2024年12月。 专利摘要...
国家知识产权局信息显示,国网上海市电力公司取得一项名为“一种三相统包高温超导电缆磁场老化特征的计算方法”的专利,授权公告号CN 120930515 B,申请日期...
国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司取得一项名为“一种芯片封装结构、其制备方法及电子设备”的专利,授权公告号CN 113972180 B,申请日期为2021...
国家知识产权局信息显示,洛阳国函铁路器材有限公司取得一项名为“一种三相电同步电动开关”的专利,授权公告号CN 120824156 B,申请日期为2025年9月。...
国家知识产权局信息显示,广东美的制冷设备有限公司、美的集团股份有限公司申请一项名为“Z源逆变器电路、线路板、控制器及空调器”的专利,公开号CN121055791...
国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司、成都京东方光电科技有限公司申请一项名为“显示模组及其驱动方法、显示装置”的专利,公开号CN121053909...
天眼查App显示,近日,铭镓半导体(成都)有限公司成立,法定代表人为陈政委,注册资本3000万人民币,经营范围为一般项目:电子专用材料制造;电子专用材料研发;半...
国家知识产权局信息显示,江苏富乐华半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法”的专利,授权公告号CN 120453167 B,申请日期为...
国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有内部过流保护和电隔离电流感测的电子功率开关”的专利,公开号CN121055940A,申请日期为2...
国家知识产权局信息显示,武汉华钼科技有限公司取得一项名为“一种电子围栏”的专利,授权公告号CN223608292U,申请日期为2025年2月。 专利摘要显示,本...
国家知识产权局信息显示,深圳市TCL高新技术开发有限公司、广东聚华新型显示研究院申请一项名为“薄膜及其制备方法及光电器件”的专利,公开号CN121057421A...
这项工作由伊利诺伊大学香槟分校 (UIUC)、哈佛大学、哥伦比亚大学和麻省理工学院 (MIT) 的合作完成 。 论文标题:Multi-Modal Mani...
在电子设备日益追求高效与紧凑的如今,电源管理技术的重要性愈发凸显。作为该领域的关键组件之一,扁平线一体成型电感的技术进展与广泛应用,正为电源设计带来新的变化...
11月28日,在亚洲企业商会(Enterprise Asia)于上海浦东丽思卡尔顿酒店举办的"国际创新奖"颁奖典礼上,普华永道凭借全球首创的Agentic原生审...
近期,一场名为“金融向善,共建共益”的社区公益金融实践在深圳蛇口启幕。本次活动由招商金控支持,招商证券、招商期货和腾讯金融消费者权益保护部承办,以“无感投教”模...
12月2日下午,小米集团董事长特别助理、战略市场部副总经理徐洁云在微博发文,分享自己手机短信界面的截图,并附文:“突然就来了,真是无聊。 ”截图显示,其手机疑似...
IT之家 12 月 3 日消息,在接受韩媒 ETNews 采访时,针对三星 Galaxy Z TriFold 三折叠手机未采用高通第五代骁龙 8 至尊版芯片,而...