微半半导体申请低损耗半导体功率器件衬底制备方法专利，可得到不翘曲、应力小、良品率高的衬底
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2026-05-10 02:17:35
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国家知识产权局信息显示，安徽微半半导体科技有限公司申请一项名为“一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法”的专利，公开号CN122003138A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法，包括以下步骤：步骤一、取至少两片硅片本体为一组，并将其中至少一片所述硅片本体进行氧化；步骤二、先将各片所述硅片本体进行处理清洗，再将各片所述硅片本体依次堆叠并键合成为结合硅片；相邻的两片所述硅片本体上相互靠近的两面至少有一面具有氧化层，且位于所述结合硅片两端的氧化层需要在处理清洗前去除；步骤三、去除结合硅片非键合面的氧化层；步骤四、对结合硅片进行深结预沉积及推进处理；步骤五、用氢氟酸浸泡结合硅片；步骤六、对扩散硅片的非扩散面进行弱吹砂处理，然后对扩散硅片进行超声清洗并甩干；本发明可得到不翘曲、应力小、良品率高的衬底。
天眼查资料显示，安徽微半半导体科技有限公司，成立于2018年，位于池州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽微半半导体科技有限公司专利信息18条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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