积海半导体申请后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法专利，在隔离柱的两侧均形成通孔和金属线_元器件

积海半导体申请后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法专利，在隔离柱的两侧均形成通孔和金属线

创始人

2025-12-29 19:37:04

0次

国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法”的专利，公开号CN121215612A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法，包括：提供形成有第一金属连线层的衬底，第一金属连线层嵌入第一介电层内；在第一介电层表面形成N型掺杂碳化硅层和第二介电层；在第二介电层的上部形成第一尺寸的金属线层对应的第一凹槽；在第二介电层的下部及N型掺杂碳化硅层中形成第二尺寸的通孔对应的第二凹槽，第二尺寸小于第一尺寸，第二凹槽与第一凹槽连通形成类T字形截面的第三凹槽；向第三凹槽填充OPL；在OPL中形成第三尺寸的第四凹槽，第三尺寸小于第二尺寸且大于第一金属线层之间的间距；在第四凹槽内形成隔离柱后，去除第四凹槽内的OPL；在隔离柱的两侧均形成第四尺寸的通孔和第五尺寸的金属线。

天眼查资料显示，杭州积海半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目542次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资尺寸通孔导体杭州凹槽工艺专利电层线层

上一篇：六角形半导体申请基于USB接口的程序加载系统专利，可同时将程序加载至多个电子设备

下一篇：日望精工申请轨道交通牵引变流器柜电阻焊焊接螺母及方法专利，解决不锈钢螺母焊接质量难题

积海半导体申请后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法专利，在隔离柱的两侧均形成通孔和金属线

相关内容

热门资讯