湖南三安半导体申请氮化镓功率器件及其制备方法专利，提高器件耐压性能及可靠性
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2026-05-09 10:43:10
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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“氮化镓功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN122002837A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种氮化镓功率器件、氮化镓功率器件的制备方法，氮化镓功率器件包括衬底；缓冲层，设置于衬底的一侧；沟道层，设置于缓冲层的背离衬底的一侧；势垒层，设置于沟道层的背离缓冲层的一侧，且势垒层与沟道层能产生二维电子气；栅极结构、源极和漏极，间隔设置于势垒层背离沟道层的一侧，且源极和漏极位于栅极结构两侧；其中位于栅极结构与漏极之间的势垒层具有第一镂空部，第一镂空部的厚度与势垒层的厚度相同，通过在势垒层的栅极与漏极之间刻蚀出第一镂空部，可有效抑制栅漏间的电流泄露，缓解虚栅效应，改善由AlGaN势垒层及表面缺陷态陷阱捕获2DEG电子及沟道热电子效应引发的电流崩塌，提高器件耐压性能及可靠性。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次，专利信息438条，此外企业还拥有行政许可148个。
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来源：市场资讯
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