京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利，外延结构表面积与衬底面积之比为65～70%_元器件

京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利，外延结构表面积与衬底面积之比为65～70%

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2025-12-27 21:36:48

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号CN121218751A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：衬底、外延结构、第一电极结构、反射层和第二电极结构；外延结构位于衬底上，外延结构被隔离槽分割成第一外延结构和第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构的表面积之和与衬底的表面积之比为65～70％，且外延结构均包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一外延结构具有底部位于第一半导体层的第一凹槽，第二外延结构具有底部位于第一半导体层的第二凹槽；第二电极位于所述第一凹槽，第五电极位于第二凹槽；反射层覆盖外延结构；第七电极第一电极和第三电极连接，第八电极与第二电极、第四电极和第六电极连接，第九电极与第五电极连接。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1033条，此外企业还拥有行政许可42个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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