昇维旭申请半导体结构专利，有效提升栅极的击穿电压
创始人
2025-12-26 15:08:08
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国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121218670A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构、半导体装置及其制造方法，半导体结构包括：晶体管，所述晶体管包括沟道层、与所述沟道层相对的栅极层以及位于所述沟道层和所述栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极层包含钛；钛吸收层，所述钛吸收层位于所述栅极层不与所述沟道层相对的至少一个表面。根据本申请的半导体结构、半导体装置及其制造方法，可以有效提升栅极的击穿电压。
天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息138条，此外企业还拥有行政许可16个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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