云潼科技申请新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法专利，使器件具有优异的栅极耐压能力_元器件

云潼科技申请新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法专利，使器件具有优异的栅极耐压能力

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2026-04-23 00:57:52

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国家知识产权局信息显示，深圳云潼微电子科技有限公司、重庆云潼科技有限公司申请一项名为“一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法”的专利，公开号CN121888643A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法，该器件包括：衬底，位于衬底之上的外延层，位于外延层中的沟槽，位于沟槽内的控制栅极区、屏蔽栅极区和第一层间介质层；控制栅极区和屏蔽栅极区呈上下分布，第一层间介质层位于控制栅极区和屏蔽栅极区之间；控制栅极区包括：控制栅、栅氧化层和指定介质层；控制栅的下表面与第一层间介质层接触；栅氧化层填充在控制栅与沟槽内侧壁之间；指定介质层填充在顶部指定区和底部指定区，顶部指定区位于控制栅的顶部，底部指定区位于控制栅的底部。该器件优化栅介质层结构，使器件具有优异的栅极耐压能力，提高器件的可靠性。

天眼查资料显示，深圳云潼微电子科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本750万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳云潼微电子科技有限公司专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本961.6794万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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