辰矽电子申请JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路专利，使JFET输入级结构的输入偏置电流在工作温度范围内保持在极低值_元器件

辰矽电子申请JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路专利，使JFET输入级结构的输入偏置电流在工作温度范围内保持在极低值

创始人

2025-12-09 21:14:22

0次

国家知识产权局信息显示，贵州辰矽电子科技有限公司申请一项名为“一种JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路”的专利，公开号CN121098255A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路，通过PJFET晶体管PJ5和PJ6（或者LPNP晶体管LP20和LP21）构成偏置电流补偿结构，产生与温度成比例的补偿电流，当温度升高导致JFET栅极漏电流增加时，设计的电流补偿电路产生反向补偿电流对JFET输入结构进行电流补偿，抵消因温度升高引起的额外漏电流，使JFET输入级结构的输入偏置电流在工作温度范围内保持在极低值，解决了目前的运算放大器设计中，尚未有通过电路结构形式对栅极漏电流进行补偿的电路结构，无法在高温条件下对JFET输入级的漏电流进行动态补偿的技术问题。

天眼查资料显示，贵州辰矽电子科技有限公司，成立于2012年，位于贵阳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，贵州辰矽电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极电流投资电路运算放大器补偿结构专利

上一篇：精测电子获4.33亿元半导体量检测设备订单

下一篇：精测电子：子公司与客户签订累计金额4.33亿元的半导体量检测设备销售合同

辰矽电子申请JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路专利，使JFET输入级结构的输入偏置电流在工作温度范围内保持在极低值

相关内容

热门资讯