LTC7891是一款高性能、降压DC/DC开关稳压器控制器,通过高达100 V的输入电压驱动所有N通道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7891解决了许多使用GaN FET时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比,LTC7891简化了应用设计,无需保护二极管和其他附加外部组件。选型vvvx→zywbic
内部智能自举开关可防止BOOST引脚至SW引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电,从而保护顶部GaN FET的栅极。LTC7891在内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序,以实现智能近零死区时间,从而显著提升效率,甚至在高输入电压下也能实现高频运行。或者,用户可以使用外部电阻调整死区时间以进行裕量调整或定制应用。

LTC7891的栅极驱动电压可在4 V至5.5 V范围内精确调节以优化性能,并且可使用不同的GaN FET,甚至是逻辑电平MOSFET。
特征
• 为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
• 宽 VIN 范围:4 V 至 100 V
• 宽输出电压范围:0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
• 无需环流、箝位或阴极负载二极管
• 内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
• 经过内部优化,智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
• 可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器