上海华力取得改善器件高电阻区堆叠膜层针孔缺陷的方法专利
创始人
2025-12-06 12:36:49
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法”的专利，授权公告号CN116206951B，申请日期为2023年3月。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2092次，专利信息2627条，此外企业还拥有行政许可396个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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