应用材料申请三维DRAM储存节点接触接合面形成专利，形成接触半导体层侧端掺杂硅层的电容器
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2025-12-05 14:36:20
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于三维动态随机存取存储器(DRAM)的储存节点接触(SNC)接合面形成”的专利，公开号CN121080133A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本文的实例系关于三维(3D)动态随机存取记忆体(DRAM)及对应的方法。在一实例中，提供了堆叠半导体结构，其中此堆叠半导体结构包括形成在基板上的复数个单元堆叠。每个单元堆叠具有半导体层、第一介电层、第一闸电极，及电容器部分的第二介电层。此电容器部分的侧凹部经由此单元堆叠向第一开口开放。此方法包括在此侧凹部中，在此半导体层的侧端上共形地沉积掺杂硅层，在此第二侧端上形成此掺杂硅层之后执行热退火制程。此方法进一步包括形成设置此侧凹部的电容器，此电容器接触此半导体层的此第二侧端上的此掺杂硅层。
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