无锡商甲半导体申请具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法专利，降低导通电阻且击穿电压不下降
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2025-12-05 13:07:35
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国家知识产权局信息显示，无锡商甲半导体有限公司申请一项名为“具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121078772A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本发明提供一种具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法；所述具有低导通电阻沟槽MOSFET器件包括重掺杂的第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在有源区，第一导电类型外延层中设有单胞沟槽；相邻单胞沟槽之间的第一导电类型外延层顶部自下而上设有第二导电类型阱区和第一导电类型注入层；在单胞沟槽的内壁设有栅氧化层；在单胞沟槽中设有栅极多晶硅；在单胞沟槽底部下方形成包裹住单胞沟槽U型底的碗口状的第一导电类型埋层；在单胞沟槽底部下方的第一导电类型埋层中形成包裹住单胞沟槽U型底的碗口状的第二导电类型埋层；本发明能够在降低导通电阻的同时击穿电压不下降，且成本也不会有明显的增加。
天眼查资料显示，无锡商甲半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1161万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡商甲半导体有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可2个。
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