德州仪器申请用于双极结晶体管的半导体加工集成专利
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2025-12-03 19:36:52
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成”的专利，公开号CN121057282A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，本公开大体上涉及用于双极结晶体管BJT的半导体加工集成。在一实例中，一种半导体装置包含半导体衬底(102)、双极结晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述半导体衬底(102)包含BJT区(104)、互补FET(CFET)区(110、112)，以及在所述BJT区(104)和所述CFET区(110、112)之间的过渡区(106)。所述BJT在所述半导体衬底(102)上的所述BJT区(104)中。所述FET在所述半导体衬底(102)上的所述CFET区(110、112)中。所述复合结构在所述半导体衬底(102)上的所述过渡区(106)中。所述复合结构包含介电材料(704a)。所述介电材料(704a)具有靠近并朝向所述CFET区(110、112)的侧壁(2904)，并且具有形成所述复合结构的上表面的至少一部分的顶表面。
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