电子元件IC物料BOM配单 IC芯片批发商城 PLC机器人控制器IC内存芯片销售 MT47H128M16RT-25E:C
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2026-04-10 01:50:46
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MT47H128M16RT-25E:C TR 芯片规格文档 电子元件IC物料BOM配单 IC芯片批发商城 PLC机器人控制器IC内存芯片销售

一、产品背景及应用MT47H128M16RT-25E:C TR 是美光推出的2Gb DDR2 SDRAM,采用 1.8V 供电、84 引脚 FBGA 封装,具备高速数据传输、低功耗、高稳定性等特性,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统、消费电子、网络终端等对内存性能与可靠性要求较高的场景。典型应用:

工业控制:PLC、数据采集模块、工控终端的运行内存与数据缓存

通信设备:工业路由器、网关、数据终端的程序运行与数据交互

嵌入式系统:MCU/MPU 配套运行内存、物联网设备的临时数据存储

消费电子:机顶盒、智能终端、数码相框的系统运行与数据缓存

网络终端:交换机、路由器、网络存储设备的内存扩展与数据处理

MT47H128M16RT-25E:C TR存储闪存芯片参数美光经销商 芯片规格

二、主要规格(18 条)

制造商:Micron(美光科技)

产品系列:MT47H DDR2 SDRAM

存储容量:2Gb(256MB)

内存类型:DDR2 SDRAM(易失性)

接口类型:并行接口

数据位宽:x16(可配置 x4/x8)

最高时钟频率:400MHz(DDR2-800)

工作电压:VDD=1.7V–1.9V(标称 1.8V)

封装类型:84 引脚 FBGA(9×12.5mm)

工作温度:0℃~+85℃(工业级)

湿气敏感等级:MSL 3(开封后 168 小时内焊接)

包装规格:卷带(TR),适配自动化生产

核心架构:4n-prefetch,双倍数据速率

内部 Bank:8 个 Bank,支持并发操作

数据速率:800MT/s,差分数据选通(DQS/DQS#)

可编程参数:CAS 延迟(CL)、附加延迟(AL)、突发长度

无铅环保:符合 RoHS 标准,无卤素

片上终端:支持 ODT(片上终端),适配 JEDEC 标准

三、封装与安装

封装类型:84 引脚 FBGA(9×12.5mm),无铅环保封装,球间距 0.8mm

安装方式:SMT 表面贴装,支持无铅回流焊,适配自动化贴片产线

关键引脚:时钟(CK/CK#)、数据输入 / 输出(DQ0–DQ15)、数据选通(DQS/DQS#)、片选(CS#)、电源(VDD/VDDQ)、地(VSS)

PCB 设计要点:电源 / 地平面完整,VDD/VDDQ 就近去耦(0.1μF 电容);信号短且等长,减少串扰与反射

防潮要求:MSL 3 级,开封后 168 小时内完成焊接,未使用器件密封防潮存储

焊接建议:无铅回流焊,峰值温度≤260℃,满足工业级焊接标准

四、工作环境

工作温度:0℃ ≤ TA ≤ +85℃(工业级常温范围)

存储温度:-65℃~+150℃

工作电压:VDD=1.7V–1.9V,VDDQ=1.7V–1.9V,电压稳定度 ±5%

湿度范围:5%~95% RH,非凝露条件下工作

静电防护:符合 JEDEC 标准,HBM±2000V,MM±200V,PCB 建议增加 ESD 保护

功耗特性:运行电流≤190mA,待机电流低,适配连续运行与低功耗设备

五、性能优势

高速传输:400MHz 时钟、800MT/s 数据速率,满足高速数据处理需求

低功耗:1.8V 供电,运行与待机功耗低,适配节能设备

高并发:8 个内部 Bank,支持并发操作,提升系统响应速度

灵活配置:支持 x4/x8/x16 位宽,适配不同系统接口需求

可编程特性:CL/AL/ 突发长度可编程,适配不同应用场景

片上终端:ODT 功能减少外部电阻,简化 PCB 设计

差分选通:DQS/DQS# 差分信号,提升数据采样准确性

工业级稳定:0℃~+85℃工作温度,适配工业与消费电子场景

六、环境与出口分类

环保合规:无铅、无卤素,符合 RoHS 2011/65/EU、RoHS3 2015/863/EU、REACH、WEEE 指令

中国合规:符合《电子信息产品污染控制管理办法》(中国 RoHS),无 SVHC 高关注物质

有害物质:不含镉、汞、六价铬、PBB、PBDE 等禁用物质

出口分类:ECCN EAR99(商用级 DDR2 SDRAM,非管控类),出口遵循所在国家 / 地区进出口管制规定

行业标准:符合 JEDEC DDR2 SDRAM 规范、JESD47 可靠性测试要求

七、总结MT47H128M16RT-25E:C TR 是面向工业控制、通信设备、嵌入式系统、消费电子领域的 2Gb 工业级 DDR2 SDRAM,以1.8V 工作电压、400MHz 高速时钟、84 引脚 FBGA 紧凑封装、8 个并发 Bank、低功耗、高稳定为核心优势,完美适配系统运行内存、数据缓存、临时数据存储与高速数据交互需求。该芯片为量产成熟型号,在工业与消费电子场景中性能稳定,是低成本高性能 DDR2 内存的优选方案。

——转载自 摩拜芯城 专业电子元器件批发商城 | 免费拿样 Micron镁光代理商 存储闪存芯片参数

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