格恩半导体申请一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器专利，扩大水平发散角_元器件

格恩半导体申请一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器专利，扩大水平发散角

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2025-12-01 10:36:54

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国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN121035773A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提出了一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和接触层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层，所述衬底与第一下限制层之间设置有第一发散角调制层，所述第二下限制层与第三下限制层之间设置有第二发散角调制层。所述第一发散角调制层和第二发散角调制层的SIMS测试的归一化Al原子浓度曲线均满足Lorentz函数分布，从而在第一发散角调制层和第二发散角调制层中间形成载流子横向扩展区，增强载流子的横向扩展和迁移率，增加激光器的水平发散角方向的有源层复合宽度，进而扩大水平发散角。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息517条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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