芯迈半导体申请沟槽功率器件及其制作方法专利，降低电流沟道长度减小沟道电阻_元器件

芯迈半导体申请沟槽功率器件及其制作方法专利，降低电流沟道长度减小沟道电阻

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2026-09-04 12:26:56

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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“一种沟槽功率器件及其制作方法”的专利，公开号CN122699350A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽功率器件，包括半导体层、沟槽栅和掩埋层。其中半导体层包括衬底层、第一外延层和第二外延层，其中衬底层和第一外延层具有相同的掺杂类型，第一外延层和第二外延层具有相反的掺杂类型。沟槽栅包括连通的第一沟槽部分和第二沟槽部分。第一沟槽部分位于第二外延层中，包括场电极。第二沟槽部分自所述第二外延层延伸进入第一外延层，包括栅电极。掩埋层位于第一外延层并与第二沟槽部分的底部或侧壁相接，并具有和第二外延层相同的掺杂类型。本申请提供了一种沟槽功率器件，通过改变器件的结构和电流沟道，将SGT器件的三个电极在同一表面引出。进一步地，通过在沟槽栅底部增加掩埋层，降低电流沟道长度，减小沟道电阻。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息238条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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