截至9:57,上证科创板芯片设计主题指数(950162)上涨2.45%,成分股南芯科技涨7.65%、海光信息涨6.16%、翱捷科技-U涨3.98%、澜起科技涨3.47%、普冉股份涨2.99%,ST臻镭跌4.62%、乐鑫科技跌0.36%、峰岹科技跌0.35%、恒玄科技跌0.13%、裕太微-U跌0.08%。
消息面上,全球主要云服务提供商正以前所未有的速度“大兴土木”,建设人工智能基础设施,而存储芯片,正逐步成为这场军备竞赛中“最昂贵的武器”。
集邦咨询(TrendForce)发布报告预测,明年全球科技巨头投向AI基础设施设备的资本开支将达1.383万亿美元,其中近70%的AI基建投资成本将流向DRAM与NAND闪存。报告预测,全球头部云厂商资本开支将从今年的9220亿美元提升至明年的1.383万亿美元,同比增幅50%。其中,DRAM、NAND闪存等存储半导体的开支占比,将从今年47%跳升至明年68%,提升21个百分点。
AI算力需求的急剧增长,令存储芯片价格大幅走高,上游涨价压力向下游终端传导。近期,亚马逊上调多款硬件产品售价。在亚马逊提价之前,苹果、微软、戴尔等科技企业已通过上调产品售价、缩减硬件标配内存等方式应对成本压力。市场调研机构IDC此前预警称,全球内存紧缺的情况可能将持续至2027年,行业预测显示,存储芯片价格有可能在2028年触顶后逐步回落企稳。
高盛预计,DRAM供应缺口将从今年的5.0%扩大至明年的5.9%,并认为“AI服务器所需的HBM以及大容量服务器DRAM正在吸收有限的生产产能,导致普通DRAM供应进一步收紧”。
科创芯片设计ETF易方达(589030)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,聚焦芯片设计环节,是市场上纯正设计主题指数。数字芯片设计和模拟芯片设计为该指数的前两大权重行业,合计占比超90%。
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