红太阳光电申请硅片原子层沉积氧化铝钝化层方法专利，显著提高了晶硅电池的制备效率_元器件

红太阳光电申请硅片原子层沉积氧化铝钝化层方法专利，显著提高了晶硅电池的制备效率

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2026-08-19 11:47:14

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国家知识产权局信息显示，湖南红太阳光电科技有限公司申请一项名为“一种硅片原子层沉积氧化铝钝化层的方法”的专利，公开号CN122602651A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅片原子层沉积氧化铝钝化层的方法，包括以下步骤：S1、进舟：装有待镀膜硅片的铝舟送入反应腔体内，反应腔体进行抽真空检漏；S2、预热：利用反应腔体内的加热包对铝舟进行预热，并开启红外加热器，对铝舟内的硅片进行快速预热，使硅片温度达到预定镀膜温度；S3、镀膜：向反应腔体内通入TMA源和水作为反应物，在硅片表面沉积氧化铝钝化层；S4、退火：镀膜结束后，控制红外加热器的输出功率，将镀膜后的硅片加热预定温度，进行退火处理；S5、取舟：将反应腔体恢复至常压，开炉门，取舟。本发明实现了硅片在同一反应腔体内完成镀膜和退火两道处理工序，有效简化了电池片的处理流程，显著提高了晶硅电池的制备效率。

天眼查资料显示，湖南红太阳光电科技有限公司，成立于2009年，位于长沙市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本65270.9万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南红太阳光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息455条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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