铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，能够将配线彼此的寄生电容抑制得较低
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2026-08-05 16:40:04
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122513988A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够将配线彼此的寄生电容抑制得较低。本实施方式的半导体装置具备层叠体。层叠体包含沿第1方向交替地逐个层叠的多个导电层及多个绝缘层。第1绝缘膜相对于层叠体设置在第1方向。第3配线包含多个第1配线及多个第2配线。第3配线相对于第1绝缘膜设置在第1方向，沿与第1方向交叉的第2方向延伸，沿与第1及第2方向交叉的第3方向排列。第5配线相对于多个第1配线中的任一个即第4配线设置在第1方向。第1接点将第4配线与第5配线之间电连接。第2绝缘膜设置在第6配线与第4配线之间，所述第6配线是多个第1配线中的另外任一个且与第4配线相邻。第3绝缘膜相对于第1绝缘膜设置在第1方向，且在多个第2配线中相邻的2个第2配线之间具有气隙。第1接点及第2绝缘膜在从第1方向观察时，设置在第1区域。第3绝缘膜在从第1方向观察时，设置在与第1区域不同的第2区域。
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来源：市场资讯
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