爱思开海力士申请半导体装置和制造方法专利，提供一种半导体装置
创始人
2026-08-04 08:44:32
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN122497113A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基板，该基板包括单元区域和外围电路区域；栅极结构，该栅极结构包括导电层并位于所述单元区域中；电极层叠件，该电极层叠件包括电极层并位于所述外围电路区域中；狭缝结构，该狭缝结构延伸穿过所述栅极结构；第一电极结构，所述第一电极结构延伸穿过所述电极层叠件并电连接到所述电极层；第二电极结构，所述第二电极结构延伸穿过所述电极层叠件并位于与所述狭缝结构相对应的高度；以及绝缘间隔件，该绝缘间隔件围绕所述第二电极结构。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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