中芯国际申请半导体结构形成方法专利，能够精准控制顶层硅的厚度
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122458764A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一硅基片和第二硅基片，所述第一硅基片包括相对的第一表面和第二表面；对所述第一硅基片进行热氧化处理，形成绝缘氧化层，所述绝缘氧化层位于所述第一硅基片的第二表面；向所述第一硅基片的第一表面注入离子，形成牺牲层；将第一硅基片的第二表面与所述第二硅基片进行键合；采用腐蚀剥离工艺或液相剥离工艺，去除所述牺牲层，形成顶层硅，所述顶层硅、所述绝缘氧化层以及所述第二硅基片构成绝缘体上硅衬底。通过腐蚀剥离工艺去除第一硅基片内的所述牺牲层，相较于现有技术的通过高温退火实现分离的工艺，本发明的分离工艺有效降低了制备成本，且能够精准控制顶层硅的厚度，且保证了顶层硅表面的均一性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息8211条，此外企业还拥有行政许可231个。
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息15070条，此外企业还拥有行政许可486个。
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来源：市场资讯