华邦电子申请半导体装置及其形成方法专利，提供一种半导体装置及其形成方法
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2026-07-25 05:42:33
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国家知识产权局信息显示，华邦电子股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号CN122458770A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体装置及其形成方法，其中所述方法包括以下步骤。提供第一管芯，其中第一管芯包括形成于衬底的第一区域上的第一内连线结构。提供第二管芯，其中第二管芯包括形成于衬底的第二区域上的第二内连线结构，第二区域不同于第一区域，且第二内连线结构以及第一内连线结构被形成于衬底上的第一介电层所覆盖。分别于第一内连线结构和第二内连线结构上形成电性连接至第一内连线结构的第一测试结构以及电性连接至第二内连线结构的第二测试结构，其中第一测试结构包括第一测试垫以及与第一测试垫电性连接的第一连接垫，且第二测试结构包括第二测试垫以及与第二测试垫电性连接的第二连接垫。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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