富采光电申请半导体结构及封装结构专利，允许环境介质流过半导体部
创始人
2026-07-25 05:38:32
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国家知识产权局信息显示，富采光电股份有限公司申请一项名为“半导体结构及封装结构”的专利，公开号CN122458570A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构及封装结构。所述半导体结构包含第一表面、第二表面、半导体部以及贯穿部，第一表面和第二表面彼此相对，贯穿部贯穿半导体部，并具有位于第一表面的第一开口和位于第二表面的第二开口，贯穿部允许环境介质经由第一开口和第二开口流过半导体部。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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