新忆科技申请具有梯度掺杂阻变层的阻变存储器专利，提升了器件在Set与Reset操作中的电阻值一致性_元器件

新忆科技申请具有梯度掺杂阻变层的阻变存储器专利，提升了器件在Set与Reset操作中的电阻值一致性

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2026-07-24 12:35:56

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国家知识产权局信息显示，北京新忆科技有限公司申请一项名为“一种具有梯度掺杂阻变层的阻变存储器及其制备方法”的专利，公开号CN122458698A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体存储器件技术领域，公开了一种具有梯度掺杂阻变层的阻变存储器及其制备方法，该存储器包括依次堆叠的底部金属层、金属间绝缘层、底部电极、阻变层、储氧层、顶部电极与顶部金属层。所述阻变层内含有微量掺杂元素，该掺杂元素的浓度沿薄膜厚度方向呈线性或阶梯式分布，且掺杂浓度从阻变层上表面向底部电极方向逐渐降低。上述浓度梯度在薄膜纵向构建了氧空位形成能的递减通道，从而在电场驱动下引导导电细丝沿特定路径定向生长与断裂。本申请消除了导电通道成核的随机性，提升了器件在Set与Reset操作中的电阻值一致性，有效降低了操作电压，提高了阵列良率与可重复性，进而简化了外围电路设计并降低芯片的面积开销。

天眼查资料显示，北京新忆科技有限公司，成立于2018年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3218.1273万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新忆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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