广州增芯科技申请锗光电探测器制备方法专利，降低了锗光电探测器的暗电流_元器件

广州增芯科技申请锗光电探测器制备方法专利，降低了锗光电探测器的暗电流

创始人

2026-07-21 16:43:20

0次

国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“锗光电探测器的制备方法及锗光电探测器”的专利，公开号CN122438409A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种锗光电探测器的制备方法及锗光电探测器，通过提供硅衬底；在第一温度下，在硅衬底的部分表面上形成锗成核层；在第二温度下，在锗成核层上形成锗吸收层，第二温度高于第一温度。因此，缓解了硅材料和锗材料的晶格失配，从而，降低了锗光电探测器的暗电流。又通过在锗吸收层上以原位掺杂技术形成掺杂锗层，硅衬底与掺杂锗层的导电类型不同，在硅衬底的表面形成第一电极，并在掺杂锗层的表面形成第二电极。从而形成了陡峭且缺陷少的PN结结面，提高了锗光电探测器的带宽和响应速度。并且，由于锗吸收层位于锗成核层上且位于掺杂锗层下，锗吸收层受到锗成核层和掺杂锗层的保护，质量较高，从而提高了锗光电探测器的响应速度。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本749038.4616万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息304条，此外企业还拥有行政许可182个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示科技投资降低广州表面探测器专利核层锗层锗光电吸收层

上一篇：成都感道取得耐辐射耐高温振动传感器防护装置专利，提升装置耐辐射及高温性能

下一篇：柯依赛光电取得LED光源支架结构专利，完成对不同规格长度的灯管进行安装的效果

广州增芯科技申请锗光电探测器制备方法专利，降低了锗光电探测器的暗电流

相关内容

热门资讯