来源:新浪证券-红岸工作室
7月15日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高功率密度三极管及制备方法”的专利。申请公布号为CN122395972A,申请号为CN202610535598.7,申请公布日期为2026年7月14日,申请日期为2026年4月22日,发明人代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D10/01、H10D10/00、H10D62/00、H10D62/10、H10D62/13、H10D62/17。
专利摘要显示,一种高功率密度三极管及制备方法,涉半导体技术领域。包括以下步骤:步骤S100,在外延片内制备第一重掺杂薄基区,在第一重掺杂薄基区区域制备第一重掺杂厚基区;步骤S200,在第一重掺杂厚基区内制备第二重掺杂发射区;步骤S300,在外延片上制备第一隔离层,在第一重掺杂薄基区和第一重掺杂厚基区处开窗,制备基极电极;步骤S400,在第二重掺杂发射区开窗,制备发射极电极;步骤S500,在外延片背面制备集电极电极。本发明通过创新性结构增大基极电极下方基区和集电区结的面积,薄基区和厚基区的高度差,使厚基区的侧面与集电区接触,增大基区和集电区结的面积,进而增大集电区收集基区中载流子的数量,增大单位面积电流密度,提高功率密度。
作为国内功率半导体领域的领先企业,扬杰科技主营功率半导体全产业链相关产品,具备深厚技术壁垒与全产业链布局优势。公司成立于2006年8月2日,2014年1月23日在深圳证券交易所挂牌上市,注册地与办公地均位于江苏省扬州市。
扬杰科技是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业,业务聚焦功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件,同时布局第三代半导体、汽车芯片等热门赛道。
2025年扬杰科技实现营业收入71.3亿元,在18家同行业企业中位列第3,仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元,大幅高于行业平均39.84亿元、行业中位数13亿元水平;营收结构中半导体器件贡献62.57亿元,占比87.75%,半导体芯片、其他业务、半导体硅片分别贡献5.34亿元、1.72亿元、1.67亿元,占比依次为7.49%、2.41%、2.35%。盈利端表现更为突出,2025年公司归母净利润达12.45亿元,位列18家同行业企业第1,远超第二名捷捷微电的4.76亿元,显著跑赢行业平均-3.38亿元、行业中位数5933.85万元的盈利水平。
| 指标类型 | 具体数值 | 行业排位/对比基准 |
|---|---|---|
| 2025年营业收入 | 71.3亿元 | 行业第3(共18家) |
| 2025年行业营收首位 | 312.53亿元 | *ST闻泰 |
| 2025年行业营收次位 | 130.52亿元 | 士兰微 |
| 2025年行业营收均值 | 39.84亿元 | - |
| 2025年行业营收中位数 | 13亿元 | - |
| 半导体器件营收占比 | 87.75% | 对应营收62.57亿元 |
| 半导体芯片营收占比 | 7.49% | 对应营收5.34亿元 |
| 其他业务营收占比 | 2.41% | 对应营收1.72亿元 |
| 半导体硅片营收占比 | 2.35% | 对应营收1.67亿元 |
| 2025年净利润 | 12.45亿元 | 行业第1(共18家) |
| 2025年行业净利润次位 | 4.76亿元 | 捷捷微电 |
| 2025年行业净利润均值 | -3.38亿元 | - |
| 2025年行业净利润中位数 | 5933.85万元 | - |
扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种低寄生电感功率二极管及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610593818.1 | 2026-04-30 | CN122340830A | 2026-07-03 | 熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅 |
| 2 | 一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610585288.6 | 2026-04-29 | CN122396337A | 2026-07-14 | 柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅 |
| 3 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610535598.7 | 2026-04-22 | CN122395972A | 2026-07-14 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 4 | 一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610412210.4 | 2026-03-31 | CN122138725A | 2026-06-02 | 熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅 |
| 5 | 一种高功率密度TVS二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610415630.8 | 2026-03-31 | CN122269779A | 2026-06-23 | 熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅 |
| 6 | 一种Power DFN框架、封装体及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610286131.3 | 2026-03-10 | CN121985840A | 2026-05-05 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 7 | 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511981365.1 | 2025-12-25 | CN121604824A | 2026-03-03 | 张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅 |
| 8 | 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511950595.1 | 2025-12-23 | CN121729076A | 2026-03-24 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 9 | 一种光伏旁路二极管模块加工工艺 | 发明专利 | 公布 | CN202511930765.X | 2025-12-19 | CN121693132A | 2026-03-17 | 司天平、景昌忠、陈润生、王毅 |
| 10 | 一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511911493.9 | 2025-12-17 | CN121699615A | 2026-03-20 | 李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅 |
| 11 | 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511407480.8 | 2025-09-29 | CN120980899A | 2025-11-18 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 12 | 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511407472.3 | 2025-09-29 | CN121152230A | 2025-12-16 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 13 | 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511407464.9 | 2025-09-29 | CN121240474A | 2025-12-30 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 14 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 | CN202511209188.5 | 2025-08-27 | CN120857527A | 2025-10-28 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 15 | 一种高集电极电流三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207926.2 | 2025-08-27 | CN120916450A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 16 | 一种高EAS能力的三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511208008.1 | 2025-08-27 | CN120916452A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 17 | 一种高频和高增益三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207991.5 | 2025-08-27 | CN120916451A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 18 | 一种高电流密度三极管及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207877.2 | 2025-08-27 | CN121057236A | 2025-12-02 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 19 | 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511154480.1 | 2025-08-18 | CN121017690A | 2025-11-28 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 20 | 光伏旁路器件 | 实用新型 | 授权 | CN202521754537.7 | 2025-08-18 | CN224459747U | 2026-07-03 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 21 | 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511145062.6 | 2025-08-15 | CN121011539A | 2025-11-25 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 22 | 二极管擦字装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740722.0 | 2025-08-15 | CN224296845U | 2026-05-29 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 23 | 二极管上料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740725.4 | 2025-08-15 | CN224449345U | 2026-07-03 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 24 | 二极管收料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740719.9 | 2025-08-15 | CN224449543U | 2026-07-03 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 25 | 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510879767.4 | 2025-06-27 | CN120690730A | 2025-09-23 | 耿印、王毅 |
| 26 | 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510842518.8 | 2025-06-23 | CN120645350A | 2025-09-16 | 刁卫斌、王毅 |
| 27 | 一种二极管外观检测装置及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510826492.8 | 2025-06-19 | CN120539278A | 2025-08-26 | 耿印、王毅 |
| 28 | 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510793665.0 | 2025-06-13 | CN120637356A | 2025-09-12 | 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅 |
| 29 | 一种抑制塑封分层的全包封框架及封装 | 实用新型 | 授权 | CN202521215415.0 | 2025-06-13 | CN224460572U | 2026-07-03 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 30 | 提升绝缘耐压能力的整流桥堆 | 实用新型 | 授权 | CN202521114013.1 | 2025-05-30 | CN224205650U | 2026-05-05 | 邱力宸、王毅 |
| 31 | 多引脚散热桥堆 | 实用新型 | 授权 | CN202521104107.0 | 2025-05-30 | CN224205649U | 2026-05-05 | 姚文康、王双、吕强、王毅 |
| 32 | 一种高效组装散热型整流桥 | 实用新型 | 授权 | CN202521104109.X | 2025-05-30 | CN224482060U | 2026-07-10 | 王双、王毅 |
| 33 | 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510613311.3 | 2025-05-13 | CN120417408A | 2025-08-01 | 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅 |
| 34 | 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510148616.1 | 2025-02-11 | CN119704417A | 2025-03-28 | 王鑫、王毅 |
| 35 | 一种FRED半导体器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510126905.1 | 2025-01-27 | CN119947137A | 2025-05-06 | 崔龙、王毅 |
| 36 | 一种横向IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996035.5 | 2024-12-31 | CN119730275A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 37 | 一种横向平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996030.2 | 2024-12-31 | CN119730274A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 38 | 一种横向RC-IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996027.0 | 2024-12-31 | CN119730273A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 39 | 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996043.X | 2024-12-31 | CN119730277A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 40 | 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996042.5 | 2024-12-31 | CN119730276A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 41 | 自动防卡料管装上料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423295438.5 | 2024-12-31 | CN223547013U | 2025-11-14 | 李伟贞、殷宪虎、王毅 |
| 42 | 整流桥周转管打塞装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423295423.9 | 2024-12-31 | CN223574783U | 2025-11-21 | 张杰、徐俊、殷宪虎、王毅 |
| 43 | 整流桥平整度检测装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423266959.8 | 2024-12-30 | CN223551060U | 2025-11-14 | 雍鑫、徐俊、王毅 |
| 44 | 框架镜像检测平台 | 实用新型 | 授权 | CN202423266953.0 | 2024-12-30 | CN223711466U | 2025-12-23 | 沈青青、徐俊、王毅 |
| 45 | 一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411950010.1 | 2024-12-27 | CN119743969A | 2025-04-01 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 46 | 一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411955197.4 | 2024-12-27 | CN119789443A | 2025-04-08 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 47 | 具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管 | 实用新型 | 授权 | CN202423253084.8 | 2024-12-27 | CN223652616U | 2025-12-09 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 48 | 具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423247744.1 | 2024-12-27 | CN223652617U | 2025-12-09 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |
| 49 | 整流桥防反治具 | 实用新型 | 授权 | CN202423192234.9 | 2024-12-24 | CN223665429U | 2025-12-12 | 金超、徐俊、王毅 |
| 50 | 一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411854926.7 | 2024-12-17 | CN119584574A | 2025-03-07 | 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅 |