扬杰电子申请高功率三极管相关专利,该三极管结构可增大电流提升功率密度
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2026-07-15 14:54:16
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来源:新浪证券-红岸工作室

7月15日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高功率密度三极管及制备方法”的专利。申请公布号为CN122395972A,申请号为CN202610535598.7,申请公布日期为2026年7月14日,申请日期为2026年4月22日,发明人代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D10/01、H10D10/00、H10D62/00、H10D62/10、H10D62/13、H10D62/17。

专利摘要显示,一种高功率密度三极管及制备方法,涉半导体技术领域。包括以下步骤:步骤S100,在外延片内制备第一重掺杂薄基区,在第一重掺杂薄基区区域制备第一重掺杂厚基区;步骤S200,在第一重掺杂厚基区内制备第二重掺杂发射区;步骤S300,在外延片上制备第一隔离层,在第一重掺杂薄基区和第一重掺杂厚基区处开窗,制备基极电极;步骤S400,在第二重掺杂发射区开窗,制备发射极电极;步骤S500,在外延片背面制备集电极电极。本发明通过创新性结构增大基极电极下方基区和集电区结的面积,薄基区和厚基区的高度差,使厚基区的侧面与集电区接触,增大基区和集电区结的面积,进而增大集电区收集基区中载流子的数量,增大单位面积电流密度,提高功率密度。

作为国内功率半导体领域的领先企业,扬杰科技主营功率半导体全产业链相关产品,具备深厚技术壁垒与全产业链布局优势。公司成立于2006年8月2日,2014年1月23日在深圳证券交易所挂牌上市,注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

扬杰科技是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业,业务聚焦功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件,同时布局第三代半导体、汽车芯片等热门赛道。

2025年扬杰科技实现营业收入71.3亿元,在18家同行业企业中位列第3,仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元,大幅高于行业平均39.84亿元、行业中位数13亿元水平;营收结构中半导体器件贡献62.57亿元,占比87.75%,半导体芯片、其他业务、半导体硅片分别贡献5.34亿元、1.72亿元、1.67亿元,占比依次为7.49%、2.41%、2.35%。盈利端表现更为突出,2025年公司归母净利润达12.45亿元,位列18家同行业企业第1,远超第二名捷捷微电的4.76亿元,显著跑赢行业平均-3.38亿元、行业中位数5933.85万元的盈利水平。

指标类型 具体数值 行业排位/对比基准
2025年营业收入 71.3亿元 行业第3(共18家)
2025年行业营收首位 312.53亿元 *ST闻泰
2025年行业营收次位 130.52亿元 士兰微
2025年行业营收均值 39.84亿元 -
2025年行业营收中位数 13亿元 -
半导体器件营收占比 87.75% 对应营收62.57亿元
半导体芯片营收占比 7.49% 对应营收5.34亿元
其他业务营收占比 2.41% 对应营收1.72亿元
半导体硅片营收占比 2.35% 对应营收1.67亿元
2025年净利润 12.45亿元 行业第1(共18家)
2025年行业净利润次位 4.76亿元 捷捷微电
2025年行业净利润均值 -3.38亿元 -
2025年行业净利润中位数 5933.85万元 -

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种低寄生电感功率二极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610593818.1 2026-04-30 CN122340830A 2026-07-03 熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅
2 一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610585288.6 2026-04-29 CN122396337A 2026-07-14 柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅
3 一种高功率密度三极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610535598.7 2026-04-22 CN122395972A 2026-07-14 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
4 一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610412210.4 2026-03-31 CN122138725A 2026-06-02 熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅
5 一种高功率密度TVS二极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610415630.8 2026-03-31 CN122269779A 2026-06-23 熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅
6 一种Power DFN框架、封装体及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610286131.3 2026-03-10 CN121985840A 2026-05-05 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
7 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511981365.1 2025-12-25 CN121604824A 2026-03-03 张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅
8 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511950595.1 2025-12-23 CN121729076A 2026-03-24 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
9 一种光伏旁路二极管模块加工工艺 发明专利 公布 CN202511930765.X 2025-12-19 CN121693132A 2026-03-17 司天平、景昌忠、陈润生、王毅
10 一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511911493.9 2025-12-17 CN121699615A 2026-03-20 李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅
11 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 发明专利 公布 CN202511407480.8 2025-09-29 CN120980899A 2025-11-18 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
12 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511407472.3 2025-09-29 CN121152230A 2025-12-16 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
13 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511407464.9 2025-09-29 CN121240474A 2025-12-30 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
14 一种高功率密度三极管及制备方法 发明专利 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 CN202511209188.5 2025-08-27 CN120857527A 2025-10-28 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
15 一种高集电极电流三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207926.2 2025-08-27 CN120916450A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
16 一种高EAS能力的三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511208008.1 2025-08-27 CN120916452A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
17 一种高频和高增益三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207991.5 2025-08-27 CN120916451A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
18 一种高电流密度三极管及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207877.2 2025-08-27 CN121057236A 2025-12-02 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
19 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 发明专利 公布 CN202511154480.1 2025-08-18 CN121017690A 2025-11-28 李广源、梁欣源、陈润生、王毅
20 光伏旁路器件 实用新型 授权 CN202521754537.7 2025-08-18 CN224459747U 2026-07-03 李广源、梁欣源、陈润生、王毅
21 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511145062.6 2025-08-15 CN121011539A 2025-11-25 徐超、司天平、陈润生、王毅
22 二极管擦字装置 实用新型 授权 CN202521740722.0 2025-08-15 CN224296845U 2026-05-29 徐超、司天平、陈润生、王毅
23 二极管上料装置 实用新型 授权 CN202521740725.4 2025-08-15 CN224449345U 2026-07-03 徐超、司天平、陈润生、王毅
24 二极管收料装置 实用新型 授权 CN202521740719.9 2025-08-15 CN224449543U 2026-07-03 徐超、司天平、陈润生、王毅
25 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510879767.4 2025-06-27 CN120690730A 2025-09-23 耿印、王毅
26 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510842518.8 2025-06-23 CN120645350A 2025-09-16 刁卫斌、王毅
27 一种二极管外观检测装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510826492.8 2025-06-19 CN120539278A 2025-08-26 耿印、王毅
28 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510793665.0 2025-06-13 CN120637356A 2025-09-12 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅
29 一种抑制塑封分层的全包封框架及封装 实用新型 授权 CN202521215415.0 2025-06-13 CN224460572U 2026-07-03 代书雨、王玉林、张敏、王毅
30 提升绝缘耐压能力的整流桥堆 实用新型 授权 CN202521114013.1 2025-05-30 CN224205650U 2026-05-05 邱力宸、王毅
31 多引脚散热桥堆 实用新型 授权 CN202521104107.0 2025-05-30 CN224205649U 2026-05-05 姚文康、王双、吕强、王毅
32 一种高效组装散热型整流桥 实用新型 授权 CN202521104109.X 2025-05-30 CN224482060U 2026-07-10 王双、王毅
33 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510613311.3 2025-05-13 CN120417408A 2025-08-01 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅
34 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510148616.1 2025-02-11 CN119704417A 2025-03-28 王鑫、王毅
35 一种FRED半导体器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510126905.1 2025-01-27 CN119947137A 2025-05-06 崔龙、王毅
36 一种横向IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996035.5 2024-12-31 CN119730275A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
37 一种横向平面栅IGBT及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996030.2 2024-12-31 CN119730274A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
38 一种横向RC-IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996027.0 2024-12-31 CN119730273A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
39 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996043.X 2024-12-31 CN119730277A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
40 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996042.5 2024-12-31 CN119730276A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
41 自动防卡料管装上料装置 实用新型 授权 CN202423295438.5 2024-12-31 CN223547013U 2025-11-14 李伟贞、殷宪虎、王毅
42 整流桥周转管打塞装置 实用新型 授权 CN202423295423.9 2024-12-31 CN223574783U 2025-11-21 张杰、徐俊、殷宪虎、王毅
43 整流桥平整度检测装置 实用新型 授权 CN202423266959.8 2024-12-30 CN223551060U 2025-11-14 雍鑫、徐俊、王毅
44 框架镜像检测平台 实用新型 授权 CN202423266953.0 2024-12-30 CN223711466U 2025-12-23 沈青青、徐俊、王毅
45 一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411950010.1 2024-12-27 CN119743969A 2025-04-01 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
46 一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411955197.4 2024-12-27 CN119789443A 2025-04-08 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
47 具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管 实用新型 授权 CN202423253084.8 2024-12-27 CN223652616U 2025-12-09 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
48 具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件 实用新型 授权 CN202423247744.1 2024-12-27 CN223652617U 2025-12-09 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
49 整流桥防反治具 实用新型 授权 CN202423192234.9 2024-12-24 CN223665429U 2025-12-12 金超、徐俊、王毅
50 一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411854926.7 2024-12-17 CN119584574A 2025-03-07 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅

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