南亚科技申请光阻结构及其半导体元件制造方法专利，提升光阻结构的热稳定性
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2026-04-02 19:45:35
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“光阻结构、包含该光阻结构的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN121763655A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本公开提供一种光阻结构、包括该光阻结构的半导体元件、以及包括该光阻结构的该半导体元件的制备方法。该光阻结构包括一下光阻层；以及位在该下光阻层上的一上光阻层。该上光阻层的一热膨胀系数大于该下光阻层的一热膨胀系数。
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来源：市场资讯
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