原相科技申请CMOS影像传感器及其制造方法专利，阻挡相应多个光电二极管之间的寄生光串扰效应
创始人
2026-04-02 19:28:13
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国家知识产权局信息显示，原相科技股份有限公司申请一项名为“CMOS影像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121772373A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种CMOS影像传感器及其制造方法。所述CMOS影像传感器包含：多个光电二极管，配置为将入射光转换为电信号；一金属栅格，设置于所述多个光电二极管上方，其中所述金属栅格被配置为阻挡相应多个光电二极管之间的寄生光串扰效应；以及多个透镜，设置于所述金属栅格的多个开口上，用于将光聚焦到所述多个光电二极管上；其中，所述金属栅格包括对应于所述多个开口的多个周界，每个周界包括多个边框，所述多个边框以闭合环状的方式围绕所述相应的开口；所述多个边框的每一边框具有纵宽比大于3。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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