甬矽半导体申请2.5D中介层封装结构和封装方法专利，有利于防止制程中导电柱的断裂或隐裂_元器件

甬矽半导体申请2.5D中介层封装结构和封装方法专利，有利于防止制程中导电柱的断裂或隐裂

创始人

2026-04-02 00:42:32

0次

国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“2.5D中介层封装结构和封装方法”的专利，公开号CN121772783A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供的一种2.5D中介层封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该2.5D中介层封装结构包括中介层、导电柱、绝缘层、第一介质层、第二介质层、第一金属层和焊球。中介层具有相对设置的第一表面和第二表面；导电柱设于中介层内，导电柱的一端端面凸出于第一表面；绝缘层设于第一表面，且包覆导电柱的侧壁，以在导电柱外周形成第一凹槽；第一介质层设于第一凹槽内；第二介质层设于第一介质层上，且设有露出导电柱的第一开口；第一开口的截面大于导电柱的截面；第一金属层设于第一开口内；第一金属层与导电柱电连接；焊球与第一金属层电连接。有利于防止制程中导电柱的断裂或隐裂，提高导电性能和封装可靠性。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可20个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业导电投资半导体中介介质宁波金属层结构专利中介层介质层导电柱

上一篇：尚高新能源申请模块化储能电源系统专利，实现能源的高效利用与成本优化

下一篇：股市必读：伟时电子(605218)股东户数1.78万户，较上期增加1.02%

甬矽半导体申请2.5D中介层封装结构和封装方法专利，有利于防止制程中导电柱的断裂或隐裂

相关内容

热门资讯