甬矽半导体申请2.5D中介层封装结构和封装方法专利，有利于防止制程中导电柱的断裂或隐裂
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2026-04-02 00:42:32
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“2.5D中介层封装结构和封装方法”的专利，公开号CN121772783A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请提供的一种2.5D中介层封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该2.5D中介层封装结构包括中介层、导电柱、绝缘层、第一介质层、第二介质层、第一金属层和焊球。中介层具有相对设置的第一表面和第二表面；导电柱设于中介层内，导电柱的一端端面凸出于第一表面；绝缘层设于第一表面，且包覆导电柱的侧壁，以在导电柱外周形成第一凹槽；第一介质层设于第一凹槽内；第二介质层设于第一介质层上，且设有露出导电柱的第一开口；第一开口的截面大于导电柱的截面；第一金属层设于第一开口内；第一金属层与导电柱电连接；焊球与第一金属层电连接。有利于防止制程中导电柱的断裂或隐裂，提高导电性能和封装可靠性。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可20个。
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