国家知识产权局信息显示,ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“半导体制造设备及制造半导体的方法”的专利,公开号CN121737677A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,公开了一种设备和方法。该设备具有:反应室;一个或多个气体入口,其连接到所述反应室以将前体提供到所述反应室中;以及蓄积器,其连接到所述一个或多个气体入口中的至少一个。该设备具有三个蒸发器/冷凝器,即第一蒸发器/冷凝器,其可与蓄积器连接,并构造成被加热以经由蓄积器向反应室提供升华/蒸发的前体;第二蒸发器/冷凝器,其可连接到大容量前体存储器,并构造成被冷却以将来自加热的存储器的前体沉积在其中;以及第三蒸发器/冷凝器,其可连接在反应室的排气装置和泵之间,并构造成被冷却以在前体到达泵之前沉积来自排气装置的前体。
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来源:市场资讯