65R950 -ASEMI超结MOS管TO-220F封装_元器件

65R950 -ASEMI超结MOS管TO-220F封装

创始人

2026-03-30 14:32:56

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编辑：ll

65R950 -ASEMI超结MOS管TO-220F封装

型号：65R950

沟道：NPN

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

导通内阻：950mΩ

漏源电流：4A

漏源电压：650V

引脚数量：3

特性：N沟道MOS管

工作温度：-55℃~150℃

65R950 采用 N 沟道超结设计，基于先进的 SJ_Multi-EPI 多层外延技术，对传统超结结构进行深度优化，通过精准调控 P-N 柱掺杂浓度与排布密度，实现电场分布的极致均匀化，带来三大革命性提升：

耐压与损耗的精准平衡：650V 额定漏源电压（VDS）可稳定应对电网波动与开关浪涌，部分型号击穿电压可达 700V，为高压场景提供冗余防护；VGS=10V 时导通电阻（RDS (on)）低至 0.85Ω（typ），配合超低栅极电荷（Qg 典型值 7.7nC），较传统器件导通损耗降低 25% 以上，开关损耗优化 30%，实现能效与耐压的双向奔赴。

高频与兼容的协同优化：优化的结电容与反向传输电容设计，使器件在高频 PWM 场景中保持低 EMI 特性，轻松通过 EMC 测试；支持 - 55℃~+150℃宽工作温度范围，从严寒户外到高温机房，无需额外散热设计即可稳定运行，适配长时间高负荷工况。

军工级防护实力：100% 雪崩能量测试认证（EAS 最高达 100mJ），雪崩电流（IAR）达 2A，较行业平均水平提升 60%，能有效抵御电路浪涌冲击，从根源上降低系统故障风险；50V/ns 的超高 dv/dt 抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下的稳定输出，尤其适配对可靠性要求严苛的工业控制与新能源场景。

防护电流设计器件 SJ_Multi-EPI 测试电压结电容雪崩场景知识科普导通沟道

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