半导体元件工业取得背面金属形成方法专利
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2026-03-18 09:52:58
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司取得一项名为“形成背面金属的方法和系统”的专利，授权公告号CN111477544B，申请日期为2019年12月。

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