凌久微电子申请多电源域芯片时序自适应测试系统专利，提高多电源域GPU芯片的时序测试效率_元器件

凌久微电子申请多电源域芯片时序自适应测试系统专利，提高多电源域GPU芯片的时序测试效率

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2026-03-18 04:28:45

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国家知识产权局信息显示，武汉凌久微电子有限公司申请一项名为“一种多电源域芯片时序自适应测试系统及测试方法”的专利，公开号CN121679293A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种多电源域芯片时序自适应测试系统及测试方法，系统包括多个时序测试装置，每一个时序测试装置与一个GPU芯片连接，所有GPU芯片的型号相同，每一个时序测试装置包括时序控制模块、时序检测模块和结果分析模块。本发明根据本时序测试装置和其它同测时序测试装置的测试状态制定本时序测试装置的测试方案，采用多个时序测试装置对GPU芯片同时测试，进而提高多电源域GPU芯片的时序测试效率；测试时，对多电源域GPU芯片时序的上电顺序和上升时延两个方面进行评估，更全面的分析了GPU芯片的时序参数；以及在GPU芯片正常工作状态下进行测试，更准确的反映了芯片在实际应用场景下的时序参数。

天眼查资料显示，武汉凌久微电子有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16544.959958万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉凌久微电子有限公司参与招投标项目154次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息186条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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