豪威集成电路申请低电容瞬态抑制保护器件专利，串联设计能够使电容减半_元器件

豪威集成电路申请低电容瞬态抑制保护器件专利，串联设计能够使电容减半

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2026-03-17 17:07:34

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国家知识产权局信息显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司申请一项名为“一种低电容瞬态抑制保护器件”的专利，公开号CN121665687A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种低电容瞬态抑制保护器件，采用高掺杂衬底和双层外延，通过采用高阻衬底作为共用集电极，串联两个基区浮空的NPN三极管，这样串联设计能够使电容减半。同时再并联一个超低触发电压的SCR结构，利用半导体穿通特性，解决了高阻衬底三极管单向截止特性导致器件无法正常单独应用的问题。整体而言，此结构通过两个串联NPN使器件电容减半，来获得更小的电容，再通过并联超低触发电压SCR结构做成低容TVS，满足客户在实际应用中对保护器件的特殊需求。

天眼查资料显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了46家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息204条，此外企业还拥有行政许可15个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资器件三极管保护器电容集成电路结构专利豪威衬底

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