长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，具有良好的性能_元器件

长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，具有良好的性能

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2026-03-14 23:31:52

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121665651A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底，包括第一区域；功能层，位于所述第一区域上的所述衬底上；第一栅极，位于所述功能层上，所述第一栅极在所述衬底上的投影区位于所述功能层在所述衬底上的投影区内；金属硅化物层，位于所述衬底内，与所述功能层相邻，所述金属硅硅化物层在所述衬底上的投影区位于所述功能层在所述衬底上的投影区的外侧。该半导体结构具有良好的性能。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1078次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息666条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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