华为申请半导体器件及制备方法专利，提升P型晶体管的驱动电路_元器件

华为申请半导体器件及制备方法专利，提升P型晶体管的驱动电路

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2026-03-14 16:40:36

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备”的专利，公开号CN121665616A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，包括P型晶体管包括第一极、第二极和沟道，第一极包括硼；另外，该半导体器件还包括第一膜层和阻挡层，第一膜层位于第一极上，第一膜层包括硼，第一膜层中的硼含量大于第一极中的硼含量；阻挡层堆叠在第一极和第一膜层之间，阻挡层用于抑制第一膜层中的硼扩散至衬底内，比如，阻挡层用于抑制第一膜层中的硼扩散至P型晶体管的沟道中。这样，可以提升沟道层的空穴迁移率，提升该P型晶体管的驱动电路。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目42112次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1712个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资驱动电子设备阻挡层包括晶体管专利器件半导体膜层 P型

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